Моя заявка (0)

PSMN1R0-40SSHJ, Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A

PSMN1R0-40SSHJ, Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 293A; Idm: 1659A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070221855
Артикул
PSMN1R0-40SSHJ
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
1
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
375Вт
Технология
Si
Цена по запросу
(от 424,77 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 40V N-CHANNEL AMPS CONT

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeN Channel
Power Dissipation375Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада26 ns
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокLFPAK88-4
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора137 nC
Время нарастания19 ns
Drain Source On State Resistance880мкОм
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока325А
Рассеиваемая Мощность375Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности375 W
Другие названия товара №934660688118
Id - непрерывный ток утечки325 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки2000
Стиль Корпуса ТранзистораLFPAK88
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток1 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток40 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 175 C
Типичное время задержки выключения59 ns
Типичное время задержки при включении23 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2.4 V
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)880мкОм

Техническая документация