PSMN0R9-25YLC,115, Транзистор N-МОП, полевой, 25В, 100А, 272Вт, SOT669
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024650183
- Артикул
- PSMN0R9-25YLC,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 128,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, соответствующие требованиям к температуре 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-669-5 |
| Part # Aliases: | 934065074115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 110 nC |
| Структура | N-МОП |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 272W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 272 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 110nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 6.775nF@12V |
| Continuous Drain Current (Id) | 100A |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 990 uOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.05 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.95V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 272 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.99mΩ@10V, 25A |