PSMN057-200P,127, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 39А; Idm: 156А; 250Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029434055
- Артикул
- PSMN057-200P,127
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT78, TO220AB
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 1
- Gate charge
- 96nC
Цена по запросу
(от 560 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | SOT78, TO220AB |
| Mounting | THT |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 96nC |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 39A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Power dissipation | 250W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 41mΩ |
| Drain-source voltage | 200V |
| Pulsed drain current | 156A |
| Особенности | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 39 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 299mΩ@9A, 10V |