PSMN039-100YS,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 28,1А; Idm: 112А; 74Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070122878
- Артикул
- PSMN039-100YS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- null
- Brand:
- Nexperia
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
Цена по запросу
(от 85,91 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.
Технические параметры
| Type | null |
| Brand: | Nexperia |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934064535115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 23 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Power Dissipation (Pd) | 74W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 39.5mOhm @ 15A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 74 W |
| Power Dissipation (Max) | 74W(Tc) |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 23nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.847nF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 28.1A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 20 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 71 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1847 pF @ 50 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 90 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 28.1A(Tc) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |