PSMN038-100YLX, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024497679
- Артикул
- PSMN038-100YLX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand:
- Nexperia
Цена по запросу
(от 133,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, соответствующие требованиям к температуре 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand: | Nexperia |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 5 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 18 ns |
| Rise Time: | 18 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| PCB changed | 4 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Triple Source |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Triple |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-56-5 |
| Part # Aliases: | 934067517115 |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | LFPAK |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 21.6 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 94.9W |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 18 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 94.9 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 39.2nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.905nF@25V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 31 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 94900 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 39.2 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 39.2@10V|21.6@5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 10 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 100 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 31 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 37.5 mOhms |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 30 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1905@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 37.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 94.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 37.5 mOhms |