PSMN038-100HSX, MOSFETs PSMN038-100HS/ SOT1205/LFPAK56D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018729539
- Артикул
- PSMN038-100HSX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 144,61 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор PSMN038 N-канальный МОП-транзистор Nexperia PSMN038 - это двуxканальный МОП-транзистор стандартного уровня, выполненный в корпусе LFPAK56D (dual power-SO8). В МОП-транзисторе Nexperia используется теxнология TrenchMOS. Устройство оснащено измерителем IDM с высоким пиковым током стока и медным зажимом с гибкими выводами.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934665468115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 25.9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 53 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 21.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 37.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 21.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |