PSMN033-100HLX, MOSFETs PSMN033-100HL/ SOT1205/LFPAK56D
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8022090879
- Артикул
- PSMN033-100HLX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Цена по запросу
(от 213,83 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор PSMN033 N-канальный МОП-транзистор Nexperia PSMN033 представляет собой N-канальный МОП-транзистор с двумя логическими уровнями, размещенный в корпусе LFPAK56D (Dual Power-SO8). В МОП-транзисторе Nexperia используется теxнология TrenchMOS. Устройство оснащено измерителем IDM с высоким пиковым током стока и медным зажимом с гибкими выводами.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SO-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934665470115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 27.3 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 64 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 26 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 31 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 26 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 25 mOhms |