PSMN029-100HLX,Dual MOSFET, N Channel, 100 V, 100 V, 30 A, 30 A, 0.0251 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046385750
- Артикул
- PSMN029-100HLX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.272
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 614 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PSMN029 N-канальный МОП-транзистор N-канальный МОП-транзистор Nexperia PSMN029 - это N-канальный МОП-транзистор с двумя логическими уровнями, выполненный в корпусе LFPAK56D (dual power-SO8). В МОП-транзисторе Nexperia используется теxнология TrenchMOS. Устройство оснащено IDM с высоким пиковым током слива и медным зажимом с гибкими выводами.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.272 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SO-8 |
| Part # Aliases: | 934665469115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0251 Ом |