PSMN021-100YLX, MOSFETs PSMN021-100YL/ SOT669/LFPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006206365
- Артикул
- PSMN021-100YLX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 31.1 ns
- Rise Time:
- 32.3 ns
- Вес, г
- 0.09
Цена по запросу
(от 116,82 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 31.1 ns |
| Rise Time: | 32.3 ns |
| Вес, г | 0.09 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-56-5 |
| Part # Aliases: | 934069906115 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 65.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 147 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 53.4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 49 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 49 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 16.8 mOhms |