Моя заявка (0)

PSMN020-30MLCX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31,8А; Idm: 127А; 33Вт

PSMN020-30MLCX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 31,8А; Idm: 127А; 33Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074700918
Артикул
PSMN020-30MLCX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Fall Time:
5.1 ns
Rise Time:
7.2 ns
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 117,54 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, LFPAK88, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Fall Time:5.1 ns
Rise Time:7.2 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:LFPAK-33-8
Product Type:MOSFETs
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934067357115
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:9.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1500
Pd - Power Dissipation:33 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:6.1 ns
Typical Turn-Off Delay Time:10.1 ns
Id - Continuous Drain Current:31.8 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:20.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1.62 V

Техническая документация