PSMN017-80BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 50А; Idm: 200А; 103Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061873865
- Артикул
- PSMN017-80BS,118
- Бренд
- Nexperia B.V.
- ECCN
- EAR99
- HTSUS
- 8541.29.0095
- Package
- Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 80 В 50 А (Tc) 103 Вт (Tc) для поверxностного монтажа D2PAK
Технические параметры
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Channel Type | N Channel |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Power Dissipation | 103Вт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Base Product Number | PSMN017 -> |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 10A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 103W (Tc) |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0137Ом |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1573pF @ 40V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Непрерывный Ток Стока | 50А |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 50A (Tc) |
| Рассеиваемая Мощность | 103Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0137Ом |