PSMN016-100YS,115, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 51А; Idm: 204А; 117Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070104481
- Артикул
- PSMN016-100YS,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 135,18 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-669-5 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934064533115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 54 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Pd - Power Dissipation: | 117 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 51 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 16.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |