N-Channel MOSFET, 57 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB PSMN016-100PS,127
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014495544
- Артикул
- PSMN016-100PS,127
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT78, TO220AB
- Width
- 4.7mm
- Тип
- N-Channel 100 V 16 mOhms Standard Level MOSFET in
- Mounting
- THT
Цена по запросу
(от 470 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 100V STD LEVEL МОП-транзистор
Технические параметры
| Case | SOT78, TO220AB |
| Width | 4.7mm |
| Тип | N-Channel 100 V 16 mOhms Standard Level MOSFET in |
| Mounting | THT |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 5 |
| Длина | 10.3 mm |
| Gate charge | 49nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Type | TO-220AB |
| Polarisation | unipolar |
| Высота | 9.4 mm |
| Корпус | TO-220AB |
| Ширина | 4.7 mm |
| Drain current | 57A |
| Mounting Type | Through Hole |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Power dissipation | 148W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | N-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 36.4mΩ |
| Transistor Material | Si |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 230A |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 18 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 148 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 49 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 28.8 mΩ |
| Время нарастания | 23 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 57 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 148 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 96 A |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Типичное время задержки выключения | 36 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4.8 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 57 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |