Моя заявка (0)

PSMN016-100BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; Idm: 230А; 148Вт; SOT404

PSMN016-100BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 40А; Idm: 230А; 148Вт; SOT404

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8041359767
Артикул
PSMN016-100BS,118
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
1.5
Technology:
Si
Subcategory:
MOSFETs
Цена по запросу
(от 240 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы PSMN N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г1.5
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFET
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934066209118
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:49 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:148 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:57 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:28.8 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:100 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация