PSMN013-60HSX,Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 40 A, 40 A, 0.008 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8046385754
- Артикул
- PSMN013-60HSX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.272
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 469 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы PSMN013 N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMN013 представляют собой N-канальные МОП-транзисторы с двумя логическими уровнями в корпусе LFPAK56D (Dual Power-SO8). В МОП-транзистораx Nexperia используется теxнология TrenchMOS. Устройства рассчитаны на лавинообразную работу и выдерживают температуру до 175°C.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.272 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | LFPAK-56D-8 |
| Part # Aliases: | 934665390115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30.1 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | полевая сборка |
| Pd - Power Dissipation: | 64 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.008 Ом |