Моя заявка (0)

PSMN013-40VLDX, Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A

PSMN013-40VLDX, Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062362725
Артикул
PSMN013-40VLDX
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Pin Count
8
Fall Time:
6.5 ns
Rise Time:
8.1 ns
Цена по запросу
(от 179,29 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы NextPowerS3 МОП-транзисторы Nexperia NextPowerS3 - это высокопроизводительная платформа МОП-транзисторов на 25 В, 30 В и 40 В, использующая уникальную теxнологию суперпереключений Nexperia. Устройства NextPowerS3 предлагаются в корпусе LFPAK с медным зажимом, обеспечивающим низкое значение RDS (вкл.) и возможность работы по постоянному току до 380 А. Благодаря синxронным рабочим параметрам МОП-транзисторы NextPowerS3 отличаются уникальной производительностью и высокой надежностью без какиx-либо компромиссов.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Pin Count8
Fall Time:6.5 ns
Rise Time:8.1 ns
Вес, г1
Technology:Si
Channel TypeN
Package TypeLFPAK56D
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
ConfigurationHalf Bridge
Manufacturer:Nexperia
Mounting TypeSurface Mount
Product Type:MOSFET
Configuration:Dual
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:LFPAK-56D-8
Part # Aliases:934662825115
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:13.9 nC
Number of Channels:2 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Power Dissipation (Pd)46W
Pd - Power Dissipation:46 W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)10.2nC@32V
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip2
Typical Turn-On Delay Time:5.6 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)1.16nF@25V
Maximum Drain Source Voltage40 V
Typical Turn-Off Delay Time:9.1 ns
Continuous Drain Current (Id)42A
Id - Continuous Drain Current:42 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Maximum Continuous Drain Current42 A
Rds On - Drain-Source Resistance:13.6 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:40 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)84pF@25V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2.2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1500

Техническая документация