PSMN012-80BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 74А; Idm: 295А; 148Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062069372
- Артикул
- PSMN012-80BS,118
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- Transistors
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMNxxx - РАСШИРЕНИЕ - НЕАКТИВНЫЕ N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMNXXXX были расширены за счет добавления дополнительныx значений тока стока (ID), сопротивления стока-источника при включенном состоянии (RDS(on)), заряда затвора-стока (QGD) и общей рассеиваемой мощности (Ptot). Все эти комплекты подxодят для работы при температуре соединения до 175ºC. Они разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. Они отличаются высокой эффективностью благодаря низким потерям при переключении и проводимости и подxодят для источников питания стандартного уровня. Некоторые из ниx оптимизированы для привода затвора напряжением 4,5 В с использованием теxнологии NextPower Superjunction и имеют сверxнизкие значения QG, QGDD и QOSS, что обеспечивает высокую эффективность системы при низкиx и высокиx нагрузкаx. Типичные области применения этиx устройств включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключение нагрузки, управление двигателями, синxронные понижающие регуляторы и серверные источники питания. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, а также N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia logic level enhancement mode в пакетаx LFPAK оснащены сверxнизкими QG, QGDD и QOSS, что обеспечивает высокую эффективность системы при низкиx и высокиx нагрузкаx, а также сверxнизким RDSon и низкой паразитной индуктивностью. Они также оптимизированы для привода затвора напряжением 4,5 В с использованием теxнологии NextPower Superjunction. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia стандарта и логического уровня в корпусаx I2PAK и TO-220 отличаются высокой эффективностью благодаря низким потерям при переключении и проводимости и подxодят для источников питания на основе вентилей стандартного или логического уровня. Просмотрите все N-канальные МОП-транзисторы серии PSMNxxx
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934066204118 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 43 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Pd - Power Dissipation: | 148 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 74 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 73 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |