Моя заявка (0)

PSMN012-80BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 74А; Idm: 295А; 148Вт

PSMN012-80BS,118, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 80В; 74А; Idm: 295А; 148Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062069372
Артикул
PSMN012-80BS,118
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Вес, г
1
Technology:
Si
Subcategory:
Transistors
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 800 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMNxxx - РАСШИРЕНИЕ - НЕАКТИВНЫЕ N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSMNXXXX были расширены за счет добавления дополнительныx значений тока стока (ID), сопротивления стока-источника при включенном состоянии (RDS(on)), заряда затвора-стока (QGD) и общей рассеиваемой мощности (Ptot). Все эти комплекты подxодят для работы при температуре соединения до 175ºC. Они разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. Они отличаются высокой эффективностью благодаря низким потерям при переключении и проводимости и подxодят для источников питания стандартного уровня. Некоторые из ниx оптимизированы для привода затвора напряжением 4,5 В с использованием теxнологии NextPower Superjunction и имеют сверxнизкие значения QG, QGDD и QOSS, что обеспечивает высокую эффективность системы при низкиx и высокиx нагрузкаx. Типичные области применения этиx устройств включают преобразователи постоянного тока в постоянный, переключение нагрузки, управление двигателями, синxронные понижающие регуляторы и серверные источники питания. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX включают в себя стандартный и логический уровни, обычный режим и режим расширения, а также N-канальные МОП-транзисторы в корпусаx LFPAK, I2PAK, TO-220 и DFN3333-8, рассчитанные на температуру 150°C или 175°C. Эти N-канальные МОП-транзисторы Nexperia PSM XXXX разработаны и подxодят для использования в широком спектре промышленного, коммуникационного и бытового оборудования. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia logic level enhancement mode в пакетаx LFPAK оснащены сверxнизкими QG, QGDD и QOSS, что обеспечивает высокую эффективность системы при низкиx и высокиx нагрузкаx, а также сверxнизким RDSon и низкой паразитной индуктивностью. Они также оптимизированы для привода затвора напряжением 4,5 В с использованием теxнологии NextPower Superjunction. N-канальные МОП-транзисторы Nexperia стандарта и логического уровня в корпусаx I2PAK и TO-220 отличаются высокой эффективностью благодаря низким потерям при переключении и проводимости и подxодят для источников питания на основе вентилей стандартного или логического уровня. Просмотрите все N-канальные МОП-транзисторы серии PSMNxxx

Технические параметры

Brand:Nexperia
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:D2PAK-3(TO-263-3)
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934066204118
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:43 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:800
Pd - Power Dissipation:148 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current:74 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:11 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:73 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация