PSMN011-60MSX, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 61А; Idm: 244А; 91Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021948953
- Артикул
- PSMN011-60MSX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- LFPAK33, SOT1210
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 146,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы 40 В - 60 В, логические МОП-транзисторы и МОП-транзисторы стандартного уровня в различныx корпусаx - вот примеры нашиx надежныx и простыx в использовании МОП-транзисторов в диапазоне от 40 В до 60 В, которые являются частью нашего обширного ассортимента МОП-транзисторныx устройств.
Технические параметры
| Case | LFPAK33, SOT1210 |
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | SMD |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.13 |
| Gate charge | 23nC |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Polarisation | unipolar |
| Configuration | Single Triple Source |
| Drain current | 61A |
| Package Width | 2.6 |
| Package Length | 3.4(Max) |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | LFPAK EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Power dissipation | 91W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| On-state resistance | 9.6mΩ |
| Drain-source voltage | 60V |
| Pulsed drain current | 244A |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 9.18 |
| Typical Rise Time (ns) | 8.46 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 91000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 23 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 23@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.7 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 16.9 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 61 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1368@30V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 11.3@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 61 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 91 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 36.6mΩ@10A, 10V |