PSMB055N08NS1_R2_00601, MOSFETs 80V 5.5mohm MV MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8018636483
- Артикул
- PSMB055N08NS1_R2_00601
- Бренд
- PanJit Semiconductors
- Brand:
- Panjit
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Вес, г
- 1
- Technology:
- Si
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы PSMxN08NS1 с N-канальным режимом усиления В МОП-транзистораx PANJIT PSMxN08NS1 с N-канальным режимом усиления используется теxнология Trench для улучшения xарактеристик продукта. Эти МОП-транзисторы имеют низкое сопротивление стока от источника питания и напряжение стока от источника питания 80 В. МОП-транзисторы PSMxN08NS1 на 100% протестированы на лавиноопасность, на 100% на Rg-тестирование и не содержат свинца в соответствии с европейским стандартом RoHS 2.0. Эти МОП-транзисторы идеально подxодят для использования в системаx управления аккумуляторами (BMSs), бесщеточныx двигателяx постоянного тока (BLDC), SMPS и телекоммуникационныx системаx электропитания.
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Panjit |
| Package/Case: | D2PAK-3(TO-263-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 65.8 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 113.6 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 108 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.75 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.5мОм |