PNMT6N1B, 40V 3A 4-@4.5V,200mA 1.2W 1.5V@250uA N Channel DFN-6L(2.1x2.1) MOSFETs ROHS
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015848822
- Артикул
- PNMT6N1B
- Бренд
- Shanghai Prisemi Elec
- Packaging
- Tape и Reel(TR)
- Вес, г
- 0.6
- Manufacturer
- Shanghai Prisemi Elec
- Package / Case
- DFN-6L(2*2)
Цена по запросу
(от 5,06 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Packaging | Tape и Reel(TR) |
| Вес, г | 0.6 |
| Manufacturer | Shanghai Prisemi Elec |
| Package / Case | DFN-6L(2*2) |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 1.2W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.5V 250uA |
| Continuous Drain Current (Id) | 3A |
| Power Dissipation-Max (Ta=25°C) | 1.2W |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4Ω 200mA, 4.5V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25°C | 3A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 40 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4Ω@4.5V, 200mA |