PMZB670UPE,315, Trans MOSFET P-CH 20V 0.68A 3-Pin DFN-B T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002271291
- Артикул
- PMZB670UPE,315
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Packaging
- Cut Tape or Reel
- Technology
- Si
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 29 ₽)
Минимальный заказ: 2385 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор P-Chan -20V -680mA
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Manufacturer | Nexperia |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN-1006B-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 10000 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 715 mW |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DFN1006B-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 680 mA |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 850 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 715 mW |
| Id - непрерывный ток утечки | 680 mA |
| Размер фабричной упаковки | 10000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 850 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.68 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |