Моя заявка (0)

PMZB550UNEYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 370мА; Idm: 2,3А

PMZB550UNEYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 370мА; Idm: 2,3А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8074764247
Артикул
PMZB550UNEYL
Бренд
Nexperia B.V.
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±8V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
0.1
Цена по запросу
(от 16,40 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный 30 В 590 мА (Ta), 310 МВт (Ta), 1,67 Вт (Tc) для поверxностного монтажа DFN1006B-3

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±8V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г0.1
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case3-XFDFN
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs670mOhm @ 590mA, 4.5V
Power Dissipation (Max)310mW(Ta), 1.67W(Tc)
Supplier Device PackageDFN1006B-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds30.3 pF @ 15 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C590mA(Ta)

Техническая документация