Моя заявка (0)

PMZB390UNEYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 600мА; Idm: 4А

PMZB390UNEYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 30В; 600мА; Idm: 4А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8073820684
Артикул
PMZB390UNEYL
Бренд
Nexperia B.V.
Type
-
Brand:
Nexperia
Fall Time:
3 ns
Rise Time:
8 ns
Цена по запросу
(от 23,90 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы SOT-883-3 соответствуют требованиям ROHS

Технические параметры

Type-
Brand:Nexperia
Fall Time:3 ns
Rise Time:8 ns
Вес, г0.01
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Package/Case:DFN-1006-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934068613315
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:1.3 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:10000
Power Dissipation (Pd)-
Pd - Power Dissipation:715 mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)-
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Typical Turn-On Delay Time:4 ns
Input Capacitance (Ciss@Vds)-
Typical Turn-Off Delay Time:12 ns
Continuous Drain Current (Id)-
Id - Continuous Drain Current:900 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:2 S
Rds On - Drain-Source Resistance:390 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)-
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:450 mV

Техническая документация