PMZ600UNEYL, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 20В; 400мА; Idm: 2,5А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743960
- Артикул
- PMZ600UNEYL
- Бренд
- Nexperia B.V.
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±8V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 0.02
Цена по запросу
(от 3,76 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 20 В 600 мА (Ta), 360 МВт (Ta), 2,7 Вт (Tc) для поверxностного монтажа SOT-883
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | SC-101, SOT-883 |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 360mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 620mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 360mW(Ta), 2.7W(Tc) |
| Supplier Device Package | SOT-883 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 700pC@4.5V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 21.3pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 600mA |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 21.3 pF @ 10 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA(Ta) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4.2pF@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 950mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.36 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 470mΩ@4.5V, 0.6A |