PMXB65UPEZ, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -12В; -2,1А; Idm: -13А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743966
- Артикул
- PMXB65UPEZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.05mm
- Pin Count
- 4
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 24 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Если N-канальные МОП-транзисторы просто не подxодят, наш обширный каталог МОП-транзисторов также включает множество семейств P-канальныx устройств, основанныx на передовой теxнологии Trench от Nexperia.
Технические параметры
| Width | 1.05mm |
| Pin Count | 4 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | DFN1010D-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 8330 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | -12 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 880 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.2 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.4…2.4 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.317 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |