N-Channel MOSFET, 3.2 A, 30 V, 4-Pin DFN1010D-3 PMXB56ENZ
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014479919
- Артикул
- PMXB56ENZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.05mm
- Fall Time
- 2 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 98 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы 25 В - 30 В, надежная работа благодаря передовым теxнологическим ноу-xау, простые в использовании МОП-транзисторы в диапазоне от 25 В до 30 В.
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.05mm |
| Fall Time | 2 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 4 |
| Rise Time | 12 s |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | DFN1010D-3 |
| Product Type | MOSFET |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN-1010D-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 3.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 400 mW |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 8.33 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 3 s |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 87 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 49 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |