Моя заявка (0)
PMXB360ENEAZ, MOSFETs SOT1215 N-CH 80V 1.1A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025890244
Артикул
PMXB360ENEAZ
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
1
Структура
N-Channel
Технология
Si
Вид монтажа
SMD/SMT
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 5000 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 80 V, N-channel Trench МОП-транзистор

Технические параметры

Вес, г1
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада3 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокDFN-1010-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора3 nC
Время нарастания3.5 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности400 mW
Другие названия товара №934067475147
Id - непрерывный ток утечки1.1 A
Размер фабричной упаковки5000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток345 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток80 V
Пороговое напряжение на затворе2.7V@250uA
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения9 ns
Типичное время задержки при включении2 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.7 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.1
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.3.2 S
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)385mΩ@1.1A, 10V

Техническая документация