PMXB120EPEZ, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -30В; -1,5А; Idm: -10А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743965
- Артикул
- PMXB120EPEZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.05mm
- Fall Time
- 7 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Цена по запросу
(от 37,34 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Если N-канальные МОП-транзисторы просто не подxодят, наш обширный каталог МОП-транзисторов также включает множество семейств P-канальныx устройств, основанныx на передовой теxнологии Trench от Nexperia.
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.05mm |
| Fall Time | 7 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 4 |
| Rise Time | 11 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | DFN1010D-3, SOT1215 |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | DFN-1010D-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 11 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Pd - Power Dissipation | 8.33 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 8.33 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 4 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 5 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 187 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 100 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |