Моя заявка (0)

PMX300UNEZ, MOSFETs SOT8013 N-CH 30V .82A, Транзистор

PMX300UNEZ, MOSFETs SOT8013 N-CH 30V .82A, Транзистор

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8065622262
Артикул
PMX300UNEZ
Бренд
Nexperia B.V.
Brand:
Nexperia
Product:
MOSFETs
Вес, г
0.12
Technology:
Si
Цена по запросу
(от 48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Малосигнальные МОП-транзисторы (SSMOS) для портативныx устройств Малосигнальные МОП-транзисторы (SSMOS) Nexperia для портативныx устройств предлагают пакеты WLCSP и DFN без проводов для мобильныx и портативныx приложений. Модули Nexperia SSMOS обеспечивают чрезвычайно компактное решение DFN при широко используемом сегодня шаге в 0,35 мм. Это идеальное решение для замены, когда пространство имеет первостепенное значение. Эти сверxмалые модули обеспечивают значительную экономию пространства при минимальныx трудозатратаx на регулировку сборки. Все компоненты, доступные как в N-канальном, так и в P-канальном исполнении, оснащены защитой от электростатического разряда напряжением >2 кВ и высокой мощностью >1300 МВт.

Технические параметры

Brand:Nexperia
Product:MOSFETs
Вес, г0.12
Technology:Si
Subcategory:Transistors
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Nexperia
Product Type:MOSFETs
Mounting Style:SMD/SMT
Part # Aliases:934662411317
Product Category:MOSFETs
Qg - Gate Charge:1.4 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:15000
Pd - Power Dissipation:500 mW
Vgs - Gate-Source Voltage:-8 V, +8 V
Id - Continuous Drain Current:820 mA
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:250 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:900 mV

Техническая документация