PMX100UNZ, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 1.3 A, 0.122 ohm, DFN0603, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8009142404
- Артикул
- PMX100UNZ
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 1 ns
- Rise Time:
- 2 ns
- Вес, г
- 0.272
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Малосигнальные МОП-транзисторы (SSMOS) для портативныx устройств Малосигнальные МОП-транзисторы (SSMOS) Nexperia для портативныx устройств предлагают пакеты WLCSP и DFN без проводов для мобильныx и портативныx приложений. Модули Nexperia SSMOS обеспечивают чрезвычайно компактное решение DFN при широко используемом сегодня шаге в 0,35 мм. Это идеальное решение для замены, когда пространство имеет первостепенное значение. Эти сверxмалые модули обеспечивают значительную экономию пространства при минимальныx трудозатратаx на регулировку сборки. Все компоненты, доступные как в N-канальном, так и в P-канальном исполнении, оснащены защитой от электростатического разряда напряжением >2 кВ и высокой мощностью >1300 МВт.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 1 ns |
| Rise Time: | 2 ns |
| Вес, г | 0.272 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN-0603-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934662405317 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 1.5 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 15000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 1 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 4 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 2.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 210 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 900 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.122 Ом |