PMV65XP,215
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8487526077
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.05
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 7,76 ₽)
Минимальный заказ: 41 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой MOSFET P-канальный 20В 2.8A
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P Channel |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 833мВт |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.92 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.47V |
| Maximum Drain Source Resistance | 76 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.058Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.9 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 74mО© @ 2.8A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 480mW |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 2.8A |
| Непрерывный Ток Стока | 4.3А |
| Рассеиваемая Мощность | 833мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 650мВ |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Крутизна характеристики, S | 15 |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-236AB |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*48*45/9000 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.058Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |