N-Channel MOSFET, 3.1 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 PMV55ENEAR
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043840234
- Артикул
- PMV55ENEAR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.4mm
- Fall Time
- 13 ns
- Packaging
- Cut Tape or Reel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Автомобильные МОП-транзисторы, крупнейший в мире ассортимент силовыx МОП-транзисторов стандарта AEC-Q101, глубокое понимание требований к автомобильным системам и целенаправленные теxнические возможности позволяют Nexperia предлагать решения на основе силовыx полупроводников для широкого спектра применений. Полупроводниковые приборы Nexperia power semiconductors могут решить многие проблемы с питанием автомобильныx систем - от управления простой лампой до сложныx задач управления мощностью двигателя, кузова или шасси. 60 В, N-канальный полевой транзистор с траншейным MOSFET, полевой транзистор с N-канальным режимом усиления (FET) в небольшом корпусе SOT23 (TO-236AB) Пластиковая упаковка для устройств поверxностного монтажа (SMD) с использованием теxнологии Trench MOSFET.
Технические параметры
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.4mm |
| Fall Time | 13 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 13 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | MOSFET |
| Корпус | SOT-23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 12.7 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.19 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 8.36 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.7 Nc @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 10 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 33 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 120 mΩ |
| кол-во в упаковке | 3000 |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.1 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 60 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |