PMV50XPR, Транзистор: P-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004259722
- Артикул
- PMV50XPR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Вес, г
- 0.02
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.02 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 68 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-23-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 7.7 nC |
| Время нарастания | 18 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 1.096 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 4.4 A |
| Крутизна характеристики, S | 9 S |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 12 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 48 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 135 ns |
| Типичное время задержки при включении | 7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 900 mV |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 9 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 900 mV |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 48 mOhms |