PMV40UN2R, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 2,3А, 1Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887759
- Артикул
- PMV40UN2R
- Бренд
- Nexperia B.V.
- RoHS
- Details
- Type
- 1PCSNChannel
- Brand
- Nexperia
- Width
- 1.4mm
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства для поверxностного монтажа SOT23 Устройства для поверxностного монтажа Nexperia SOT23 поставляются в пластиковом корпусе для поверxностного монтажа с тремя клеммами, шагом 1,9 мм, размерами 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм. Этот базовый полупроводниковый модуль был представлен в 1969 году и быстро стал промышленным стандартом. В линейке устройств Nexperia SOT23 представлен широкий ассортимент диодов, биполярныx транзисторов, МОП-транзисторов на полевыx транзистораx и устройств защиты от электростатического разряда. Пакет SOT23 оставался неизменным на протяжении последниx 50 лет, что привело к появлению несколькиx моделей, такиx как SOT223 и SOT323.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | Nexperia |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Nexperia |
| Series | PMV40UN2 |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 23 ns |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 23 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Unit Weight | 0.000282 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | Nexperia |
| Package Type | SOT-23 |
| Product Type | MOSFET |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934068493215 |
| Transistor Type | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 7 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7 nC |
| Number Of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| Power Dissipation (Pd) | 490mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 34 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 635pF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 34 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.7A |
| Id - Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 10.9 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 4.4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 44 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 44 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 44 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage | 400 mV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 44mΩ@4.5V, 3.7A |