Моя заявка (0)
P-Channel MOSFET, 4 A, 20 V, 3-Pin SOT-23 PMV32UP,215

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8470704734
Артикул
PMV32UP,215
Бренд
Nexperia B.V.
Width
1.4mm
Military
No
Packaging
Tape and Reel
Pin Count
3
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 30 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P CH, 20 В, 4 А, SOT23; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -4 А; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление Rds(включено): 0,032 Ом; Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: -700 мВ; P

Технические параметры

Width1.4mm
MilitaryNo
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г12
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-23
КорпусSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Supplier PackageTO-236AB
Process TechnologyTMOS
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation415 mW
Typical Gate Charge @ Vgs15.5 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Operating Temperature - (??C)-55~150
Maximum Gate Threshold Voltage0.95V
Minimum Gate Threshold Voltage0.45V
Maximum Drain Source Resistance36 mΩ
Maximum Continuous Drain Current4 A
Maximum Power Dissipation - (mW)930
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)15.5@4.5V
Maximum Gate Source Voltage - (V)8
Maximum Drain Source Voltage - (V)20
Maximum Continuous Drain Current - (A)4
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)1890@10V
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)36@4.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А4
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация