PMV32UP,215, Транзистор полевой P-канальный 20В 4А 0.93Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070061948
- Артикул
- PMV32UP,215
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Military
- No
- Packaging
- Tape and Reel
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 61,59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, P CH, 20 В, 4 А, SOT23; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: -4 А; Напряжение источника стока Vds: -20 В; Сопротивление Rds(включено): 0,032 Ом; Тестовое напряжение Rds (включено) Vgs: -4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: -700 мВ; P
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Military | No |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Package | TO-236AB |
| Process Technology | TMOS |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 415 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15.5 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.95V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.45V |
| Maximum Drain Source Resistance | 36 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 930 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 15.5@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | 8 |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 20 |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 4 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1890@10V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 36@4.5V |