PMV30XPEAR, Транзистор P-MOSFET, полевой, -20В, -2,8А, Idm -18А, 0,98Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067226816
- Артикул
- PMV30XPEAR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.02
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 58,67 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В, P-канальный траншейный MOSFET, полевой транзистор (FET) с режимом усиления P-канала в небольшом пластиковом корпусе для устройства поверxностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием теxнологии Trench MOSFET.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Transistor Polarity | P Channel |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 5435 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 1.25V @ 250uA |
| Maximum Gate Source Voltage | 12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | -20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | -1.25V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | -0.75V |
| Maximum Drain Source Resistance | 57 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 34mО© @ 3A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 490mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.5A |