PMV30UN2R, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014888150
- Артикул
- PMV30UN2R
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- Type
- 1PCSNChannel
- RDS-on
- 32@4.5V mOhm
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 9,07 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 20V 5.4A с 3-контактным разъемом TO-236AB T/R - Лента и катушка (альтернативный вариант: PMV30UN2R)
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| Type | 1PCSNChannel |
| RDS-on | 32@4.5V mOhm |
| Mounting | Surface Mount |
| Вес, г | 0.05 |
| Gate charge | 11nC |
| Lead Finish | Tin |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 2.7A |
| Kind of channel | enhancement |
| Kind of package | reel, tape |
| Typical Fall Time | 10 ns |
| Typical Rise Time | 26 ns |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Max Processing Temp | 260 |
| On-state resistance | 50mΩ |
| Transistor Polarity | N Channel |
| Drain-source voltage | 20V |
| Pulsed drain current | 18A |
| Operating Temperature | -55 to 150 °C |
| Power Dissipation (Pd) | 490mW;5W |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 900mV @ 250uA |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 11nC@4.5V |
| Typical Turn-On Delay Time | 7 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 35 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 655pF@10V |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 4.2A |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 32mО© @ 4.2A,4.5V |
| Power Dissipation-Max (Ta=25В°C) | 490mW |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20V |
| Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C | 4.2A |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 32mΩ@4.5V, 4.2A |