PMV280ENEAR, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8074588231
- Артикул
- PMV280ENEAR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 1.4mm
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 34,37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы 75 В - 200 В, теперь вы вошли в одну из ведущиx в мире линейок стандартныx МОП-транзисторов и ищете высоконадежные МОП-транзисторы в диапазоне от 75 В до 200 В, которые упрощают проектирование?
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 1.4mm |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 6.8nC |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Type | SOT-23 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 0.8A |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| On-state resistance | 1078mΩ |
| Drain-source voltage | 100V |
| Pulsed drain current | 5A |
| Power Dissipation (Pd) | 580mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 4.5 nC 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 6.8nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 190pF@50V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.1A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 892 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1 A |