PMV230ENEAR, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015374238
- Артикул
- PMV230ENEAR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Nexperia
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 11,75 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
60 В, N-канальный траншейный MOSFET, полевой транзистор (FET) с N-канальным режимом усиления в небольшом пластиковом корпусе для устройства поверxностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием теxнологии траншейныx MOSFET.
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Nexperia |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 4.6 ns |
| Rise Time: | 8.2 ns |
| Вес, г | 0.06 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | 934068711215 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 3.9 nC |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 480mW;1.45W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 950 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.45 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.9 nC 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 4.8nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 177pF@30V |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 13 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.5A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.5 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.7V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 6.2 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 222 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.5 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 222 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Крутизна характеристики, S | 6.2 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.7V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.95 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 222mΩ@1.5A, 10V |