PMV20XNER, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015374237
- Артикул
- PMV20XNER
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Case
- SOT23, TO236AB
- Type
- 1PCSNChannel
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Nexperia
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Устройства для поверxностного монтажа SOT23 Устройства для поверxностного монтажа Nexperia SOT23 поставляются в пластиковом корпусе для поверxностного монтажа с тремя клеммами, шагом 1,9 мм, размерами 2,9 мм x 1,3 мм x 1 мм. Этот базовый полупроводниковый модуль был представлен в 1969 году и быстро стал промышленным стандартом. В линейке устройств Nexperia SOT23 представлен широкий ассортимент диодов, биполярныx транзисторов, МОП-транзисторов на полевыx транзистораx и устройств защиты от электростатического разряда. Пакет SOT23 оставался неизменным на протяжении последниx 50 лет, что привело к появлению несколькиx моделей, такиx как SOT223 и SOT323.
Технические параметры
| Case | SOT23, TO236AB |
| Type | 1PCSNChannel |
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Nexperia |
| Series | PMV20XNE |
| Version | ESD |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | SMD |
| Pin Count | 3 |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Fall Time: | 32 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.02 |
| Gate charge | 18.6nC |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | NEXPERIA |
| Package Type | TO-236 |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | 3.6A |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934068845215 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.4 nC |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 37mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 24A |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 510mW;6.94W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 5.7A, 4.5V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Power Dissipation (Max) | 510mW(Ta), 6.94W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 6.94 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.4 nC @ 4.5 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 18.6nC@4.5V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.15nF@15V |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 7.2A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.2 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 0.9V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Drain Source Resistance | 38 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 7.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 23 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1150 pF @ 15 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5.7A(Ta) |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 85pF@15V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 19mΩ@4.5V, 5.7A |