PMV20ENR, Транзистор N-MOSFET, полевой, 30В, 3,8А, 1,2Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014887758
- Артикул
- PMV20ENR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- N Channel
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 17 ns
Цена по запросу
(от 22,03 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30В 6А 21 Мом при 10 В, 6А 2 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы SOT-23 ROHS
Технические параметры
| Type | N Channel |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 17 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | sot23 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934068497215 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Trench MOSFET |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.2 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 510mW;6.94W |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 1.2 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 10.8nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 435pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 7.6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 21 mOhms |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2V@250uA |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 21mΩ@10V, 6A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.8 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 21mΩ@10V, 6A |