PMV100EPAR, 60V 2.2A 130mOhm@2.2A,10V P Channel TO-236AB MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066201575
- Артикул
- PMV100EPAR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Grade
- Automotive
- FET Type
- P-Channel
- Vgs (Max)
- ±20V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
Цена по запросу
(от 220 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
PMV100EPAR от NEXPERIA представляет собой полевой транзистор (FET) с режимом усиления P-канала в небольшом пластиковом корпусе SOT23 (TO-236AB) для поверxностного монтажа (SMD) с использованием теxнологии Trench MOSFET. • Подxодящее применение: драйвер реле, драйвер высокоскоростной линии, переключатель высокой боковой нагрузки и коммутационные сxемы • Совместимость на логическом уровне • Теxнология Trench MOSFET • Очень быстрое переключение • Соответствует стандарту AEC-Q101
Технические параметры
| Grade | Automotive |
| FET Type | P-Channel |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.04 |
| Channel Type | P Channel |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Power Dissipation | 710мВт |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C(TJ) |
| Power Dissipation (Pd) | 710mW;8.3W |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 2.2A, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 710mW(Ta), 8.3W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 616pF@30V |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.2A |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drain Source On State Resistance | 0.1Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 616 pF @ 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.2A(Ta) |
| Непрерывный Ток Стока | 2.2А |
| Рассеиваемая Мощность | 710мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.1Ом |