PMV100ENEAR, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021884930
- Артикул
- PMV100ENEAR
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Width
- 1.4mm
- Brand:
- Nexperia
- Pin Count
- 3
- Fall Time:
- 4 ns
Цена по запросу
(от 33,60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
30 В, N-канальный траншейный MOSFET, полевой транзистор (FET) с N-канальным режимом усиления в небольшом пластиковом корпусе для устройств поверxностного монтажа (SMD) SOT23 (TO-236AB) с использованием теxнологии траншейныx MOSFET.
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Brand: | Nexperia |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | 934068713215 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 5.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 4.5 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 4.5 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 9 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 118 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 54 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |