Моя заявка (0)

PMT280ENEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 1А; Idm: 6А

PMT280ENEAX, Транзистор: N-MOSFET; Trench; полевой; 100В; 1А; Idm: 6А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8072838394
Артикул
PMT280ENEAX
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.23
Channel Type
N Channel
Упаковка
Reel, Cut Tape
Power Dissipation
770мВт
Цена по запросу
(от 55,89 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 100V N-CH TRENCHMOS

Технические параметры

Вес, г0.23
Channel TypeN Channel
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation770мВт
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Тип продуктаMOSFET
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-223-3
Канальный режимEnhancement
Qg - заряд затвора6.8 nC
Drain Source On State Resistance0.285Ом
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов4вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока1.5А
Рассеиваемая Мощность770мВт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs1.7В
Pd - рассеивание мощности1.92 W
Другие названия товара №934068623115
Id - непрерывный ток утечки1.5 A
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds100В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-223
Vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток385 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.3 V
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.285Ом

Техническая документация