PMT200EPEX, Транзистор: P-MOSFET; Trench; полевой; -70В; -1,5А; Idm: -9,7А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015743978
- Артикул
- PMT200EPEX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Type
- P Channel
- Brand:
- Nexperia
- Fall Time:
- 20 ns
- Rise Time:
- 8 ns
Цена по запросу
(от 46,51 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
70 В 2,4 А 167mOhm@2.4A, 10 В 800 МВт, 3 В при 250 мкА, P-канальные МОП-транзисторы SOT-223-3, соответствующие требованиям ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Brand: | Nexperia |
| Fall Time: | 20 ns |
| Rise Time: | 8 ns |
| Вес, г | 0.17 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | SOT-223-3 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934660521115 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15.9 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Power Dissipation (Pd) | 800mW |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 8.3 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 15.9nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 822pF@35V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 42 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 2.4A |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.4 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 13.5 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 167 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 70 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 70 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 167mΩ@2.4A, 10V |