Моя заявка (0)

PMST2222A,115, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101

PMST2222A,115, Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8002269910
Артикул
PMST2222A,115
Бренд
Nexperia B.V.
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Цена по запросу
(от 7 ₽)
Минимальный заказ: 11321 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN SW 600mA 40V

Технические параметры

ECCNEAR99
HTSUS8541.21.0075
SeriesAutomotive, AEC-Q101 ->
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Pin Count3
Вес, г1
Длина2.2 mm
Power - Max200mW
RoHS StatusROHS3 Compliant
Package TypeUMT
REACH StatusREACH Unaffected
Высота1 mm
Ширина1.35 mm
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSC-70, SOT-323
Transistor TypeNPN
Структураnpn
Base Product NumberPMST2222 ->
Operating Temperature150В°C (TJ)
Вид монтажаSMD/SMT
Frequency - Transition300MHz
Pd - Power Dissipation200mW
Minimum DC Current Gain100
Supplier Device PackageSOT-323
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
Transistor ConfigurationSingle
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Maximum Power Dissipation200 mW
Maximum Operating Frequency300 MHz
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
Maximum DC Collector Current600mA
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1V @ 50mA, 500mA
Current - Collector (Ic) (Max)600mA
Maximum Collector Base Voltage75 V
Current - Collector Cutoff (Max)10nA (ICBO)
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Maximum Collector Emitter Voltage40 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage40V
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 150mA, 10V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №PMST2222A T/R
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)6 V
Напряжение коллектор-база (VCBO)75 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)0.6
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.40 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)300 MHz

Техническая документация