Моя заявка (0)

PMST2222,115, 30V 200mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

PMST2222,115, 30V 200mW 100@150mA,10V 600mA NPN SOT-323-3 BIpolar TransIstors - BJT

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062297958
Артикул
PMST2222,115
Бренд
Nexperia B.V.
Вес, г
0.05
Длина
2.2 mm
Высота
1 mm
Корпус
SOT-323-3
Цена по запросу
(от 12,53 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT TRANS SW TAPE-7

Технические параметры

Вес, г0.05
Длина2.2 mm
Высота1 mm
КорпусSOT-323-3
Ширина1.35 mm
Transistor TypeNPN
Структураnpn
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Collector Current (Ic)600mA
Power Dissipation (Pd)200mW
Тип продуктаBJTs - Bipolar Transistors
КвалификацияAEC-Q101
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияTransistors
Transition Frequency (fT)250MHz
Торговая маркаNexperia
Упаковка / блокSOT-323-3
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)100@150mA, 10V
Collector Cut-Off Current (Icbo)10nA
Категория продуктаБиполярные транзисторы - BJT
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)30V
Полярность транзистораNPN
Pd - рассеивание мощности200 mW
Другие названия товара №934035340115
Размер фабричной упаковки3000
Напряжение эмиттер-база (VEBO)5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)1.6V@500mA, 50mA
Напряжение коллектор-база (VCBO)60 V
Минимальная рабочая температура65 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)600
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.30 V
Максимальный постоянный ток коллектора0.6 A
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)250 MHz