PMPB50ENEX, Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8002332828
- Артикул
- PMPB50ENEX
- Бренд
- Nexperia B.V.
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Mounting
- Surface Mount
- Packaging
- Tape and Reel
Цена по запросу
(от 73 ₽)
Минимальный заказ: 1280 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор MOSFET N-CH 30V 5.1A с 6-контактным разъемом DFN-MD EP T/R
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Mounting | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 6 |
| Automotive | No |
| Вес, г | 1 |
| PCB changed | 6 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single Quint Drain Dual Source |
| Package Width | 2.1(Max) |
| Package Length | 2.1(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DFN-MD EP |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Структура | N-Channel |
| Typical Fall Time (ns) | 6 |
| Typical Rise Time (ns) | 24 |
| Особенности | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3800 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.5 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 5.1 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 271@15V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 43@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 10000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |