PMPB27EP,115, 30V 6.1A 1.7W 29mOhm@10V,6.1A 2.5V@250uA P Channel DFN2020MD-6 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8066807510
- Артикул
- PMPB27EP,115
- Бренд
- Nexperia B.V.
- Brand:
- Nexperia
- Вес, г
- 0.02
- Technology:
- Si
- Subcategory:
- MOSFETs
Цена по запросу
(от 27 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Вес, г | 0.02 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Package/Case: | DFN-2020MD-6 |
| Product Type: | MOSFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | 934066875115 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 30 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 1.7W;12.5W |
| Pd - Power Dissipation: | 3.5 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 45nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.57nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.1A |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.8 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 29 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |